新年伊始，中国股市动荡、世界经济仍然不确定性等等给企业带来了更大的挑战。业界预测，2016年半导体企业可能遭遇半导体存储器需求收缩、中国企业进入半导体市场等诸多不利环境。为此，SK海力士将通过扩大投资以全面应对可能将面临的风险。
2012年SK海力士加入SK集团后，在整个半导体行业投资日趋收缩的不利环境下，SK集团凭借崔泰源会长的果断决策，在生产设施投资方面加大投资达10%以上。得益于此，过去3年里SK海力士生产竞争力得到了显著提升，已连续多次刷新历史业绩纪录。2015年SK 海力士投资总额达6万亿韩元(约50亿美元)，打破了创社以来的最高记录。
2016年，在外部经营环境日益恶化的背景下，为继续巩固未来发展基础，SK海力士将今年持续维持6万亿韩元(约50亿美元)以上水平的投资规模。旨在通过先发制人的大规模投资，强化技术、成本竞争力的技术开发、确保中长期发展过程中所需的生产空间和基础设施建设等，继续为未来发展巩固基础。尤其，优先向业界最高水准的存储器技术2z及1x纳米D-RAM、3D NAND闪存的开发及量产方面加大投资力度，提升成本竞争力和投资效率。
为应对中长期需求的增加，SK海力士计划将在韩国利川和青州地区投资建新厂。早在2015年8月的M14竣工仪式上，SK海力士就曾表示过为了保持优势扩大生产，向包括M14在内的3家工厂投资46万亿韩元(约379亿美元)。与此同时，SK海力士还计划对韩国利川M14二期工程的洁净室和电力、环境等基础设施建设方面追加1万亿韩元(约8.2亿美元)的投资。计划购入韩国青州新工厂建设用地的同时，在2016年内整顿管理韩国利川新工厂建设用地。
此外，SK海力士计划通过推出共享技术和研发成果等方式促进合作伙伴提升企业竞争力，以增强上下游合作企业支撑作用，共同化解可能的风险。
中国作为世界第二大DRAM市场及SK海力士最重视的市场之一，2016年SK海力士在中国将致力于强化与中国企业的合作、提升技术实力等，不断强化自身竞争力。
